CC1206JRNP09BN270 datasheet

CC1206JRNP09BN270 datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

Маркировка

CC1206JRNP09BN270
Производитель

YAGEO Corporation
Описание

YAGEO Corporation CC1206JRNP09BN270 Applications: General Purpose Capacitance: 27pF Features: - Lead Spacing: - Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55?°C ~ 125?°C Package / Case: 1206 (3216 Metric) Ratings: - Series: CC Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Thickness: 0.60mm Tolerance: ?±5% Voltage - Rated: 50V Other Names: 1206CG270J9B200, 223886315279, 311-1155-2, 311-1323-2, CC1206JRNP09BN270B, CC1206JRNPO9BN270, CC1206JRNPO9BN270B
Количество страниц

15 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet CC1206JRNP09BN270.pdf
Файл формата Pdf 364,07 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

CC1206JRNP09BN270Онлайн Компоненты

CC1206JRNP09BN270ЭИК

CC1206JRNP09BN270ТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.

Электронные компоненты и радиодетали

Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.